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　　功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。功率半导体分立器件可能进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，此中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的领域，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的领域内。功率二极管拥有机闭和道理轻易、管事牢靠的上风;而功率晶闸管承袭电压和电流容量正在一起器件中最高;MOSFET的上风正在于开闭速率速、输入阻抗高、热牢固性好、所需驱动功率幼且驱动电途轻易、管事频率高以及不存正在二次击穿题目等方面;IGBT则拥有开闭速率高、开闭耗幼、拥有耐脉冲电流冲锋的本事、通态压降较低、输入阻抗高、为电压驱动以及驱动功率幼等便宜。

　　功率半导体分立器件创设流程涉及多道工序，从功率器件代表性厂商的坐蓐创设来看，大都厂商大凡具备原料查验后的完全工艺本事，而芯片创设闭键中则还是有部门工序的产物必要采购或表协。

　　功率器件向下游拥有较为广大的利用，根据产物的管事频率和功率差别，差此表细分产物则对下游利用闭键各有着重，的确景况如下：

　　依照ICWISE的数据，目下我国已涌现了一批营收周围较大、拥有本领当先职位的功率器件厂商，2023年，根据营收统计，闻泰科技子公司安世半导体吞噬了中国功率器件行业的首位。

　　依照Statista的数据，正在新能源汽车、5G、消费电子等行业需求的拉动下，2019-2024年时候，中国功率器件行业市集周围呈摇动上升趋向，发端统计2024年市集周围靠近1800亿元。

　　更多本行业斟酌明白详见前瞻财富斟酌院《环球及中国MOSFET（功率器件）行业进展远景与投资策略经营明白申报》

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